Le 16 Mars 2023

Les MOSFET en carbure de silicium de troisième génération de Toshiba sont désormais disponibles auprès de Farnell

Les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de Toshiba améliorent l’efficacité et permettent d’économiser de l’espace dans les applications industrielles

Domaines

Leeds, United Kingdom - 16 mars 2023

 

Les MOSFET en carbure de silicium de troisième génération de Toshiba sont désormais disponibles auprès de Farnell
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Farnell a annoncé la mise sur le marché des MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de troisième génération de Toshiba. Les concepteurs peuvent obtenir une efficacité accrue, réduire la taille dans les applications industrielles et fournissent jusqu’à 80 % d’amélioration des pertes statiques et dynamiques. Ces produits très polyvalents conviennent à une grande variété d’applications exigeantes, notamment les alimentations à découpage (SMPS) et les alimentations sans interruption (UPS) pour les serveurs, les centres de données et les équipements de communication. On les utilise également dans les énergies renouvelables, notamment les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs DC-DC bidirectionnels utilisés pour la recharge des véhicules électriques (VE).

 

Les nouveaux MOSFET SiC de 650 V TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C et TW107N65C présentent les avantages suivants :

  • Les structures cellulaires sont basées sur celles utilisées dans les appareils de deuxième génération de Toshiba, ce qui optimise le processus SiC avancé de troisième génération.
  • Cela réduit considérablement les pertes et permet le développement de solutions d’alimentation avec des densités de puissance plus élevées et des coûts de fonctionnement plus faibles. Un facteur de mérite clé calculé comme le produit de la résistance à l’état passant drain-source (RRDS (on)) et de la charge grille-drain (Qg) pour représenter à la fois les pertes statiques et dynamiques s’est amélioré d’environ 80 %.
  • Les nouveaux dispositifs contiennent la diode à barrière Schottky (SBD) intégrée innovante éprouvée dans la génération précédente, qui améliore la fiabilité des MOSFET SiC en surmontant les effets parasites internes pour maintenir le dispositif RDS(on) stable.

 

Les nouveaux MOSFET SiC de 1 200 V de troisième génération, qui comprennent les modèles TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C et TW140N120C, sont logés dans un boîtier TO-247 standard et disposent des fonctionnalités suivantes :

  • La capacité de gérer des courants (ID) allant jusqu’à 100 A et des valeurs RRDS (on) aussi basses que 15 mΩ.
  • Une plage de tension grille-source maximale généreuse de -10 V à 25 V, ce qui améliore la flexibilité de fonctionnement dans diverses conceptions de circuits et conditions d’application.
  • La tension grille-seuil (VGS(th)) varie de 3,0 V à 5,0 V, garantit des performances de commutation prévisibles avec une dérive minimale et permet une conception grille-pilote simple.
  • Les appareils offrent des valeurs RDS(on) de 15 mΩ à 140 mΩ (typique, à VGS = 18 V) et des puissances drain-courant de 20 A à 100 A (DC à TC = 25°C).

 

Adrian Cotterill, Product Segment Leader, Transistors & WBG, chez Farnell : « Nous nous engageons à fournir à nos clients les tout derniers produits à semi-conducteurs et ces MOSFET SiC de troisième génération, désormais disponibles en stock, offrent un bond technologique significatif par l’un des leaders mondiaux et des plus grands investisseurs dans la technologie d’alimentation discrète. »

Les nouveaux MOSFET en carbure de silicium de troisième génération de Tohiba sont désormais disponibles auprès de Farnell dans la région EMEA.

 


Plus sur FARNELL : fr.farnell.com

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