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Le 16 Mars 2023
Les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de Toshiba améliorent l’efficacité et permettent d’économiser de l’espace dans les applications industrielles
Leeds, United Kingdom - 16 mars 2023
Farnell a annoncé la mise sur le marché des MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de troisième génération de Toshiba. Les concepteurs peuvent obtenir une efficacité accrue, réduire la taille dans les applications industrielles et fournissent jusqu’à 80 % d’amélioration des pertes statiques et dynamiques. Ces produits très polyvalents conviennent à une grande variété d’applications exigeantes, notamment les alimentations à découpage (SMPS) et les alimentations sans interruption (UPS) pour les serveurs, les centres de données et les équipements de communication. On les utilise également dans les énergies renouvelables, notamment les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs DC-DC bidirectionnels utilisés pour la recharge des véhicules électriques (VE).
Les nouveaux MOSFET SiC de 650 V TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C et TW107N65C présentent les avantages suivants :
Les nouveaux MOSFET SiC de 1 200 V de troisième génération, qui comprennent les modèles TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C et TW140N120C, sont logés dans un boîtier TO-247 standard et disposent des fonctionnalités suivantes :
Adrian Cotterill, Product Segment Leader, Transistors & WBG, chez Farnell : « Nous nous engageons à fournir à nos clients les tout derniers produits à semi-conducteurs et ces MOSFET SiC de troisième génération, désormais disponibles en stock, offrent un bond technologique significatif par l’un des leaders mondiaux et des plus grands investisseurs dans la technologie d’alimentation discrète. »
Les nouveaux MOSFET en carbure de silicium de troisième génération de Tohiba sont désormais disponibles auprès de Farnell dans la région EMEA.
Plus sur FARNELL : fr.farnell.com
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