Le 16 Mars 2023
Les MOSFET en carbure de silicium de troisième génération de Toshiba sont désormais disponibles auprès de FarnellLes nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de Toshiba améliorent l’efficacité et permettent d’économiser de l’espace dans les applications industrielles