Le 27 mai 2026 – Mouser Electronics, Inc., le distributeur leader mondial agréé des composants électroniques et semi-conducteurs les plus récents, annonce aujourd’hui la signature d’un accord de distribution avec Efficient Power Conversion (EPC), un leader mondial des solutions d’alimentation à base de nitrure de gallium (eGaN^®), proposant des dispositifs GaN couvrant une plage de tension de 15 V à 350 V. Les FET eGaN et les circuits intégrés d’EPC offrent des performances bien supérieures à celles des meilleurs MOSFET de puissance au silicium (Si) dans des applications telles que les convertisseurs CC-CC, les technologies de capteurs à distance comme le lidar, le contrôle des moteurs pour la mobilité électrique, la robotique, les drones, et bien d’autres encore.

Cet accord vise à étendre l’accès à la technologie GaN pour les ingénieurs du monde entier et à accélérer l’adoption de solutions d’alimentation à haut rendement.

« Cet accord mondial conclu avec Mouser s’inscrit dans notre stratégie de distribution visant à toucher davantage d’ingénieurs qui envisagent d’intégrer le GaN dans leurs conceptions en raison des avantages qu’il offre par rapport au silicium », a déclaré Nick Cataldo, vice-président senior des ventes et du marketing chez EPC. « Mouser dispose d’une formidable présence mondiale, et nous sommes ravis de nous associer à une entreprise aussi dynamique. »

« La gamme de solutions d’alimentation haute performance d’EPC vient renforcer notre offre et répond parfaitement aux besoins de nos clients », poursuit Heather McGriff, vice-présidente chargée de la gestion des fournisseurs chez Mouser. « Nous sommes ravis de nouer une relation fructueuse à long terme et de mettre ces technologies innovantes à la disposition de la communauté mondiale des ingénieurs. »

L’EPC2302, désormais disponible chez Mouser, est un transistor de puissance eGaN offrant une résistance R_DS(on) maximale de 1,8 mΩ et une tension de 100 V, présenté dans un boîtier QFN de 3 x 5 mm à faible inductance avec une face supérieure exposée pour une excellente gestion thermique. Il est conçu pour les applications CC-CC haute fréquence de 40 V à 60 V et pour les variateurs de moteurs BLDC de 48 V. La face supérieure exposée améliore la gestion thermique sur le dessus, et les flancs mouillables latéralement garantissent que toute la surface des pastilles latérales est recouverte de soudure pendant la refusion, ce qui protège le cuivre et permet de souder sur ce flanc externe pour faciliter l’inspection optique. La capacité ultra-faible et la récupération inverse nulle du FET eGaN permettent un fonctionnement efficace dans de nombreuses topologies. Les performances sont améliorées davantage grâce à l’encombrement réduit et à la faible inductance.

Le transistor de puissance eGAN EPC2304 est conçu pour les applications où une fréquence de commutation ultra-élevée et un temps de conduction réduit constituent un avantage, ainsi que pour celles où les pertes en état conducteur sont prépondérantes. Ce dispositif est particulièrement adapté aux entraînements moteur, aux systèmes audio de classe D, à l’alimentation sans fil et aux convertisseurs de correction du facteur de puissance (PFC). L’EPC2304 est proposé dans un boîtier QFN de 3 x 5 mm à dissipation thermique améliorée, avec une face supérieure exposée et une résistance thermique ultra-faible pour un fonctionnement à basse température. Le boîtier présente également des flancs mouillables afin de simplifier l’assemblage et l’inspection.

Le circuit intégré EPC23102 ePower™ Stage intègre une interface logique d’entrée, un décalage de niveau côté haut, une charge d’amorçage synchrone et des pilotes de grille, ainsi que des FET de sortie eGaN, le tout dans un seul circuit intégré monolithique monté dans un boîtier QFN MSL1, grâce à la technologie GaN propriétaire d’EPC. Il en résulte un circuit intégré de puissance qui convertit les signaux de commande de niveau logique en une étape de puissance haute tension et haut courant, plus simple à concevoir, plus compacte, plus facile à fabriquer et plus efficace en fonctionnement. Ce dispositif est idéal pour les onduleurs d’entraînements moteur, les amplificateurs audio de classe D, les convertisseurs LLC en demi-pont et en pont complet, et bien plus encore.

L’EPC2305 est un transistor de puissance eGaN de 150 V qui affiche des pertes de commutation et des pertes au niveau de la commande de grille inférieures à celles des meilleurs MOSFET au silicium de sa catégorie. Il permet ainsi d’atteindre une densité de puissance plus élevée grâce à son rendement amélioré, à sa taille réduite et à sa fréquence de commutation plus élevée, ce qui se traduit par l’utilisation d’inductances plus petites et d’un nombre réduit de condensateurs. Ses applications typiques comprennent les téléphones, les ordinateurs portables, les PC de jeu, les outils électriques, la robotique domestique, la mobilité électrique et le solaire.

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